[发明专利]光瞳相位调制器、极紫外线光刻系统及方法有效

专利信息
申请号: 201711038936.3 申请日: 2017-10-30
公开(公告)号: CN108227396B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 卢彦丞;游信胜;陈政宏;严涛南 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 光刻系统包括配置为生成极紫外线(EUV)光的辐射源。光刻系统包括限定集成电路(IC)的一个或多个部件的掩模。光刻系统包括配置为将EUV光引导到掩模上的照射器。掩模将EUV光衍射成0级光和多个更高级光。光刻系统包括配置为固定的晶圆的晶圆台,其中,根据由掩模限定的一个或多个部件来图案化该晶圆。光刻系统包括位于定位在掩模和晶圆台之间的光瞳面中的光瞳相位调制器。光瞳相位调制器配置为改变0级光线的相位。本发明还提供了印刷低图案密度部件的改进极紫外线光刻系统、器件及方法。
搜索关键词: 相位 调制器 紫外线 光刻 系统 方法
【主权项】:
1.一种光刻系统,包括:辐射源,配置为生成极紫外线(EUV)光;掩模,限定集成电路(IC)的一个或多个部件;照射器,配置为将所述极紫外线光引导到所述掩模上,其中,所述掩模将所述极紫外线光衍射为0级光线和多个更高级光线;晶圆台,配置为固定根据由所述掩模限定的一个或多个部件将图案化的晶圆;光瞳相位调制器,位于定位在所述掩模和所述晶圆台之间的光瞳面中,其中,所述光瞳相位调制器配置为改变所述0级光线的相位。
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