[发明专利]一种带有电荷可调型场板的横向绝缘栅双极型晶体管有效

专利信息
申请号: 201711040993.5 申请日: 2017-10-30
公开(公告)号: CN107887432B 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 张春伟;岳文静;付小倩;李志明;李阳 申请(专利权)人: 济南大学
主分类号: H01L29/739 分类号: H01L29/739;H01L29/40;H01L29/41
代理公司: 37221 济南圣达知识产权代理有限公司 代理人: 赵妍
地址: 250022 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种带有电荷可调型场板的横向绝缘栅双极型晶体管,包括P型衬底,P型衬底上设有N型漂移区和P型阱,P型阱上设有阴极接触区和第一场氧化层,N型漂移区上设有P型阳极接触区和第二场氧化层,第一场氧化层和第二场氧化层上方设有介质层,其特征在于,所述第一场氧化层表面设有多个感应电容电极板,所述第二场氧化层表面设有多个电荷可调型场板,所述介质层表面设有多个上层电荷可调型场板,且每一个感应电容电极板和一个与之一一对应的电荷可调型场板或上层电荷可调型场板通过重掺杂的多晶硅或金属互连线相连接。该结构器件的漂移区电场分布均匀,耐压所需漂移区长度小,电流能力强,导通损耗和开关损耗小。
搜索关键词: 一种 带有 电荷 可调 型场板 横向 绝缘 栅双极型 晶体管
【主权项】:
1.一种带有电荷可调型场板的横向绝缘栅双极型晶体管,包括:P型半导体衬底,在P型半导体衬底上设置有N型漂移区和P型阱,在P型阱上设有N型阴极接触区、P型阴极接触区和第一场氧化层,在N型漂移区上设有P型阳极接触区和第二场氧化层,在P型阳极接触区上连接有阳极金属,在N型阴极接触区和P型阴极接触区上连接有阴极金属,在部分N型漂移区和部分P型阱上方设有栅氧化层,且栅氧化层的一端和N型阴极接触区的边界相抵,所述栅氧化层的另一端与第二场氧化层的边界相抵,在栅氧化层表面设有多晶硅栅,且多晶硅栅延伸至第二场氧化层的上方,在第一场氧化层、P型阴极接触区、N型阴极接触区、多晶硅栅、第二场氧化层和P型阳极接触区的上方设有介质层,其特征在于,所述第一场氧化层表面设有若干感应电容电极板,所述第二场氧化层表面设有若干电荷可调型场板,所述介质层表面设有若干上层电荷可调型场板;/n每一个电荷可调型场板和一个与之一一对应的感应电容电极板通过重掺杂的多晶硅或金属互连线相连接,每一个上层电荷可调型场板和一个与之一一对应的感应电容电极板通过重掺杂的多晶硅或金属互连线相连接;/n通过调节电荷可调型场板和/或感应电容电极板的尺寸可以调节电荷可调型场板的感应电位和感应电荷,通过调节上层电荷可调型场板和/或感应电容电极板的尺寸可以调节上层电荷可调型场板的感应电位和感应电荷,最终使器件整个漂移区内获得均匀的横向表面电场分布和很高的横向耐压能力。/n
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