[发明专利]一种制备碳化硅超结二极管的方法在审
| 申请号： | 201711041101.3 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109727860A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 郑柳;杨霏;张文婷;吴昊;桑玲;李嘉琳;李玲;李永平;刘瑞;王嘉铭;田亮;查祎英;钮应喜 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/45;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备碳化硅超结二极管的方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗碳化硅材料2)在外延薄膜12上表面制备刻蚀碳化硅的掩膜层13；3)在掩膜层13上进行图形化制备出图形化的掩膜14，后进行碳化硅沟槽刻蚀；4)进行二次外延生长，生长碳化硅薄膜16；5)碳化硅刻蚀或化学机械抛光，后进行其他工艺加工，得到碳化硅超结二极管26。本发明制备方法通过二次外延技术在碳化硅二极管的漂移区形成超结结构，利用电荷平衡原理，使得器件耐压能力只与漂移区厚度有关，与漂移区掺杂浓度无关，大幅提高了漂移区掺杂浓度，引入空穴、电子两种载流子参与导电，大幅减小了碳化硅二极管的通态电阻，降低了器件通态损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制备 漂移区 二极管 超结 碳化硅二极管 图形化 掩膜层 刻蚀 掺杂 载流子 生长碳化硅薄膜 电荷平衡原理 化学机械抛光 空穴 碳化硅材料 超结结构 工艺加工 沟槽刻蚀 耐压能力 通态电阻 通态损耗 外延薄膜 外延技术 外延生长 上表面 导电 减小 掩膜 清洗 引入 | ||
【主权项】：
1.一种制备碳化硅超结二极管的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1)清洗碳化硅材料2)在外延薄膜12上表面制备刻蚀碳化硅的掩膜层13；3)在掩膜层13上进行图形化制备出图形化的掩膜14后，进行碳化硅沟槽刻蚀；4)进行二次外延生长，生长碳化硅薄膜16；5)碳化硅刻蚀或化学机械抛后光，进行其他工艺加工，得到碳化硅超结二极管26。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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