[发明专利]SiC衬底的图形化方法有效
| 申请号： | 201711041879.4 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN108063088B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 杨成樾;王臻星;白云;汤益丹;陈宏;田晓丽;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SiC衬底的图形化方法。该图形化方法包括以下步骤：S1，在SiC衬底的表面形成刻蚀窗口，对应刻蚀窗口的SiC衬底的表面裸露；S2，形成覆盖于刻蚀窗口的金属层，使与SiC衬底接触的金属层与SiC衬底发生硅化反应形成合金过渡层；以及S3，湿法腐蚀去除合金过渡层和未反应的金属层，得到腐蚀区域与刻蚀窗口对应的图形化衬底。上述图形化方法能够使图形化后的SiC衬底能够具有较大的腐蚀深度；并且，上述图形化方法所采用的工艺与现有Si工艺相兼容，也能够兼顾各向同性和各向异性的腐蚀形貌需求；另外，由于上述图形化方法主要采用湿法腐蚀，从而能够有效地避免干法刻蚀工艺对衬底材料带来的刻蚀损伤。 | ||
| 搜索关键词： | sic 衬底 图形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC衬底的图形化方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在SiC衬底的表面形成刻蚀窗口，对应所述刻蚀窗口的所述SiC衬底的表面裸露；S2，形成覆盖于所述刻蚀窗口的金属层，使与所述SiC衬底接触的所述金属层与所述SiC衬底发生硅化反应形成合金过渡层；以及S3，湿法腐蚀去除所述合金过渡层和未反应的金属层，得到腐蚀区域与所述刻蚀窗口对应的图形化衬底。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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