[发明专利]一种冷光片介电层的组织结构及介电层制备方法

摘要

本发明提供了一种冷光片介电层的制备方法，其中，包括如下步骤：A、制备FeNi₃合金亚微米球的步骤；B、对FeNi₃合金亚微米球进行SiO₂介电壳层包覆形成核壳结构的步骤；C、旋涂法制备介电层的步骤。本发明的优点为配比简单，制作方法简单，制得的介电层介电性能好，且微纳米颗粒无团聚现象，发光均匀。

主权项

1.一种冷光片介电层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：A、制备FeNi₃合金亚微米球的步骤；B、对FeNi₃合金亚微米球进行SiO₂介电壳层包覆形成核壳结构的步骤；C、旋涂法制备介电层的步骤；其中，步骤B为：(6)、干燥的FeNi₃合金亚微米球金属粉末10‑15g，分散到6000‑10000ml无水乙醇中，溶液放入到超声振荡器中充分震荡35‑45分钟，进而使FeNi₃合金亚微米球充分分散到无水乙醇中，尽可能减少FeNi₃合金亚微米球的团聚；(7)将步骤(6)的溶液用机械搅拌器充分且强烈搅拌，在保持强烈搅拌状态下向溶液中滴入50‑65ml正硅酸乙酯、四甲基硅烷、四乙基硅烷中的任意一种或几种，在加入1500‑2000ml水，接着缓慢注入200‑260ml的氨水，继续保持强烈搅拌2‑3小时，使正硅酸乙酯、四甲基硅烷、四乙基硅烷中的任意一种或几种能够充分溶解，(8)、对步骤(7)所得物进行磁性分离，所得物分别用去离子水和酒精洗涤3‑5次，获得了FeNi₃@SiO₂的核壳结构放入到烘干箱80‑82摄氏度烘干12‑14小时，得到FeNi₃@SiO₂的核壳结构亚微米球。