[发明专利]基于太鼓晶圆的晶圆级封装结构及方法

摘要

本发明公开了一种基于太鼓晶圆的晶圆级封装结构及方法，通过在使用太鼓减薄工艺减薄后的太鼓晶圆的中心部分键合一支撑晶圆，实现了对太鼓晶圆中心部分的加厚，使其可继续进行晶圆级的封装工艺。该方法也避免了使用特别的太鼓晶圆支撑环去除设备，使得太鼓晶圆的晶圆级封装在标准的封装产线中即可实现。

主权项

一种基于太鼓晶圆的晶圆级封装方法，其特征在于，包括如下步骤：a)提供一太鼓晶圆，该太鼓晶圆包括背面中部被减薄到需要厚度而形成的中间减薄区和背面边缘未被减薄而形成的支撑环；b)制作一支撑晶圆，所述支撑晶圆的尺寸小于所述太鼓晶圆的支撑环的开口尺寸，所述支撑晶圆的厚度大于所述太鼓晶圆的支撑环的开口深度，在该支撑晶圆的一表面涂布粘结剂；c)将步骤b中的支撑晶圆键合固定于所述太鼓晶圆的支撑环内的中间减薄区上，使支撑晶圆与太鼓晶圆通过粘结剂连接起来；d)将步骤c后支撑晶圆进行研磨至目标厚度，并将研磨后的支撑晶圆和太鼓晶圆组成的整体进行切割，形成单颗晶圆级封装结构。