[发明专利]通过激光与等离子体蚀刻的基板切割所用的水溶性掩模在审
| 申请号： | 201711046435.X | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN107845607A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | W-S·类;S·辛格;M·R·亚拉曼希里;B·伊顿;A·库玛 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/683;H01L21/308;H01L21/3065;B23K26/40;B23K26/364;B23K26/0622;B23K101/40;B23K103/00;B23K103/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 侯颖媖,金红莲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示切割具有数个IC的基板的方法。方法包括以下步骤在半导体基板之上形成掩模，掩模包含水溶性材料层。利用飞秒(femtosecond)激光划线工艺来图案化掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。图案化步骤曝露基板介于IC之间的区域。随后，经由图案化掩模中的间隙蚀刻基板藉以单分(singulate)IC，并洗去水溶性材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 激光 等离子体 蚀刻 切割 所用 水溶性 | ||
【主权项】：
一种切割包含数个IC的基板的方法，所述方法包括以下步骤：在所述基板上形成掩模，所述掩模覆盖并保护所述IC，所述掩模包含水溶性材料层，所述水溶性材料层接触所述IC的上表面；利用激光划线工艺图案化所述基板的一部分以及所述掩模，以提供具有间隙的图案化掩模和基板、暴露所述基板介于所述IC之间的区域，其中每一间隙在所述基板中具有宽度，其中利用所述激光划线工艺图案化所述掩模的步骤包含以下步骤：使用飞秒(femtosecond)激光形成所述间隙，所述飞秒激光具有小于或等于540纳米的波长以及小于或等于500飞秒的激光脉冲宽度；以及经由所述间隙进行等离子体蚀刻，以形成蚀穿整个所述基板的沟槽并且以单分所述IC，其中每一沟槽具有所述宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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