[发明专利]发光二极管晶粒的制造方法有效
| 申请号： | 201711047753.8 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109728142B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 凃博闵;洪梓健;沈佳辉;黄建翔;彭建忠 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/44;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管晶粒的制造方法，其包括如下步骤：提供一第一基板；在所述第一基板一表面形成一缓冲层；在所述缓冲层远离所述第一基板的表面形成一紫外光屏蔽层；在所述紫外光屏蔽层远离所述缓冲层的表面磊晶生长形成至少一发光二极管晶粒；提供一第二基板，并在所述第二基板的一表面形成一胶粘层；将每一发光二极管晶粒远离所述第一基板的一侧通过所述胶粘层装设于所述第二基板；从所述第一基板远离所述发光二极管晶粒的一侧向所述第一基板照射紫外光，以将所述发光二极管晶粒与所述第一基板分离；蚀刻去除结合于所述发光二极管晶粒上的紫外光屏蔽层；以及去除所述第二基板及胶粘层，从而得到所述发光二极管晶。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管晶粒的制造方法，其包括如下步骤：提供一第一基板；在所述第一基板一表面形成一缓冲层；在所述缓冲层远离所述第一基板的表面形成一紫外光屏蔽层；在所述紫外光屏蔽层远离所述缓冲层的表面磊晶生长形成至少一发光二极管晶粒，并且所述发光二极管晶粒在所述紫外光屏蔽层所在方向上的正投影位于所述紫外光屏蔽层之内，所述正投影的周缘位于所述紫外光屏蔽层的周缘内侧；提供一第二基板，并在所述第二基板的一表面形成一胶粘层；将每一发光二极管晶粒远离所述第一基板的一侧通过所述胶粘层装设于所述第二基板；从所述第一基板远离所述发光二极管晶粒的一侧向所述第一基板照射紫外光，以将所述发光二极管晶粒与所述第一基板分离；蚀刻去除结合于所述发光二极管晶粒上的紫外光屏蔽层；以及去除所述第二基板及胶粘层，从而得到所述发光二极管晶粒。
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