[发明专利]一种双栅极三维存储器及其制作方法

摘要

本发明实施例提供了一种双栅极三维存储器及其制作方法，该三维存储器包括：TSG以及存储单元，并在三维存储器中开设有两个沟道，且，每个沟道上形成一个掺杂塞，并在两个掺杂塞之间设置有栅极结构，栅极结构使两个掺杂塞互相绝缘。可见，本方案中每个沟道上具有一个掺杂塞，因此，能够减小电流阻力，改善电流通道。除此，本方案中通过增加掺杂塞的数量，使得只需要一个TSG即可，避免了两个TSG之间产生的阈值电压摆幅过大的问题。而且，本方案中由于改善了电流通道，因此，可以在沟道中无硼的注入，进而避免了由于高浓度掺杂导致的存储器件产生阈值电压干扰的问题。除此，由于本方案中的三维存储器只包括一个TSG，因此能够增加存储单元密度。

主权项

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：TSG以及存储单元；所述三维存储器中开设有两个沟道，每个所述沟道上形成一个掺杂塞；两个所述掺杂塞之间设置有栅极结构，所述栅极结构使两个掺杂塞互相绝缘。