[发明专利]一种用于LED外延晶圆制程的SiC承载盘制备方法

摘要

本发明涉及一种用于LED外延晶圆制程的SiC承载盘制备方法，属于碳化硅技术领域。本发明设计了的用于LED外延晶圆制程的SiC承载盘制备方法，该用于LED外延晶圆制程的SiC承载盘制备方法制备出来的SiC承载盘，能够很好的替代传统的承载盘，该方法得到SiC承载盘的密度高，抗弯强度大，常温热导率高。此外，该用于LED外延晶圆制程的SiC承载盘制备方法工艺简单，成本较低，可实现工业化大规模生产，适合推广使用。

主权项

一种用于LED外延晶圆制程的SiC承载盘制备方法，包括以下步骤：（1）以SiC粉体、B4C粉体、碳黑和酚醛树脂为原料制备成混合粉体；其中的SiC粉体中的氧含量小于等于SiC粉体重量的1.5%，SiC粉体中的铁含量小于等于SiC粉体重量的0.02%；在混合粉体中，B4C粉体的重量小于等于混合粉体总重量的 0.5%、碳黑的重量小于等于混合粉体总重量的2%、酚醛树脂的重量占混合粉体总重量的1‑5%；（2）将步骤（1）制备好的混合粉体中加水配成固含量为40‑45%（重量百分比）的浆料，进行球磨混合；（3）将步骤（2）球磨混合后的浆料烘干，再 研磨粉碎后过筛，将得到的粉体干压成型和等静压成型；（4）根据晶圆承载盘的设计，以及陶瓷烧结特性，通过数控和机械加工的方法获得需要的形状和尺寸的半成品；（5）将步骤（4）制备出的半成品真空脱粘后，在常压惰性气氛条件下烧结，烧结温度为1900‑2300℃，保温时间为1‑2小时，并在惰性气氛条件下自然冷却，即制备成用于LED外延晶圆制程的SiC承载盘。