[发明专利]基板湿式处理装置在审
申请号: | 201711049350.7 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN108074838A | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 冯傳彰;吴庭宇;蔡文平;刘茂林;李威震 | 申请(专利权)人: | 辛耘企业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉双;李岩 |
地址: | 中国台湾台北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种基板湿式处理装置,其包括一浸泡槽、一喷洗处理槽、一输送载具以及一控制单元。控制单元控制多个基板的湿式处理。浸泡槽包括一多片式容置部,控制单元分别控制每一基板于多片式容置部的浸泡处理时序。喷洗处理槽邻设于浸泡槽。控制单元控制输送载具移送一第一基板至多片式容置部;经过一间隔时间,移送一第二基板至多片式容置部;第一基板经过一浸泡处理时间,移送至喷洗处理槽;经过一喷洗处理时间后,移出第一基板;及第二基板经过该浸泡处理时间,移送至喷洗处理槽。控制单元依据喷洗处理时间排程间隔时间。 | ||
搜索关键词: | 喷洗 处理槽 容置部 第一基板 浸泡槽 基板 浸泡 湿式处理装置 第二基板 多片式 片式 载具 时序 多个基板 湿式处理 邻设 排程 移出 | ||
【主权项】:
1.一种基板湿式处理装置,其特征在于,包括:一控制单元,控制多个基板的湿式处理;一浸泡槽,包括一多片式容置部,其中该控制单元分别控制每一该些基板于该多片式容置部的浸泡处理时序;一喷洗处理槽,邻设于该浸泡槽,并具有至少一单片式喷洗单元;以及一输送载具,于该浸泡槽及该喷洗处理槽之间移送每一该些基板;其中该控制单元,控制该输送载具移送该些基板中之一第一基板至该浸泡槽的该多片式容置部,经过一间隔时间,移送该些基板中的一第二基板置于该浸泡槽的该多片式容置部,该第一基板经过一浸泡处理时间,自该浸泡槽移送至该喷洗处理槽的该单片式喷洗单元进行喷洗处理,经过一喷洗处理时间,自该单片式喷洗单元移出该第一基板,及该第二基板经过该浸泡处理时间,自该浸泡槽接续移送至该喷洗处理槽的该单片式喷洗单元进行喷洗处理,其中该控制单元依据该喷洗处理时间排程该间隔时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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