[发明专利]一种集成封装半导体器件有效

专利信息
申请号: 201711049618.7 申请日: 2017-10-31
公开(公告)号: CN109727944B 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L25/07;H01L23/31
代理公司: 北京市铸成律师事务所 11313 代理人: 张臻贤;屈小春
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种集成封装半导体器件,包括:讯号转接基板,讯号转接基板底部表面的周边设置有倒角;封装基板,封装基板的上表面承载讯号转接基板;芯片,讯号转接基板的上表面承载芯片;第一填充胶,第一填充胶填充于封装基板与讯号转接基板之间,其中,讯号转接基板相对于封装基板的热膨胀系数差异大于讯号转接基板相对于芯片的热膨胀系数差异。讯号转接基板底部表面的周边设置倒角,即将容易集中应力的尖锐的直角进行切割或者打磨形成倒角,目的是将应力进行分散,避免由于应力太大导致填充的第一填充胶产生裂痕,提高集成封装半导体器件的良率。
搜索关键词: 一种 集成 封装 半导体器件
【主权项】:
1.一种集成封装半导体器件,其特征在于,包括:讯号转接基板,所述讯号转接基板底部表面的周边设置有倒角;封装基板,所述封装基板的上表面承载所述讯号转接基板;芯片,所述讯号转接基板的上表面承载所述芯片;第一填充胶,填充于所述封装基板与所述讯号转接基板之间;其中,所述讯号转接基板相对于所述封装基板的热膨胀系数差异大于所述讯号转接基板相对于所述芯片的热膨胀系数差异。
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