[发明专利]一种用于降低光刻单面保护缺陷的制造方法

摘要

本发明公开一种用于降低光刻单面保护缺陷的制造方法，包括如下步骤将硅片进行预处理，清洗烘干；硅片进行氧化；硅片单面进行匀胶；将涂敷光刻胶的硅片进行曝光；将曝光后的硅片进行显影；将硅片放入恒温烘箱中进行坚膜；将硅片放入腐蚀液中进行腐蚀；对硅片进行去胶；将去胶后的硅片放进扩散炉中进行单面扩散。本发明通过曝光、显影和坚膜，并利用负性光刻胶的性质，可将硅片表面在匀胶时产生的胶丝、胶粒进行溶解，而匀胶面通过曝光，负性光刻胶产生交联聚合反应，在负胶显影液中不会去除，从而达到保护的作用，为后期腐蚀二氧化硅奠定了基础，减少了返工次数和制造成本，进而提高了工艺质量和制造效率。

主权项

一种用于降低光刻单面保护缺陷的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将硅片(1)依次进行RCA I化学清洗、RCA II化学清洗和烘干；S2、将烘干后的硅片(1)进行氧化，在硅片(1)上生长氧化层(2)；S3、在氧化后的硅片(1)正面或背面涂敷负性光刻胶，涂敷负性光刻胶的面构成匀胶面(3)，放入110～120℃洁净烘箱中进行前烘30‑40min，在涂敷负性光刻胶的另一面附有少量光刻胶(4)；S4、将涂敷光刻胶的硅片进行曝光，此时只曝光匀胶面，曝光时间4～6秒，汞灯光强为50～80mw/cm2，另一面不进行曝光；S5、曝光后，将硅片放入负性显影液中显影、漂洗、时间为10min；S6、显影后将硅片放入140～150℃洁净烘箱中进行坚膜，时间30～40min；S7、坚膜后，将硅片放入腐蚀液中进行腐蚀，以除去未用光刻胶保护面的氧化层；S8、去胶，将硅片进行去胶；S9、将去胶后的硅片,进行单面扩散。