[发明专利]一种二阶质子转移反应离子源装置及其使用方法在审
| 申请号： | 201711050765.6 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN107768230A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 褚美娟;孙运;张国辉;蒋学慧;汪曣 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01J49/10 | 分类号： | H01J49/10;H01J49/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司12211 | 代理人： | 刘莹 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种二阶质子转移反应离子源装置及其使用方法，包括漂移管，其前端设有电离源区，漂移管内腔靠近电离源区的部分设有一阶质子转移反应区，一阶质子转移反应区的后侧与带偏转结构腔体的左侧进样口相连，带偏转结构腔体的下侧设有二阶质子转移反应区；一阶质子转移反应区的前侧设有伸入漂移管内腔的第一引入管，带偏转结构的腔体上侧设有分子泵；偏转结构的主体是由四个偏转电极组成，二阶质子转移反应区的上侧设有伸入漂移管内腔的第二引入管。本发明所述的用于二阶质子转移反应的带偏转的离子源装置及其使用方法，使得质子转移反应具有选择性，可以排除一些干扰离子的影响，并有效地区分同分异构化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质子 转移 反应 离子源 装置 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
一种二阶质子转移反应离子源装置，其特征在于：包括漂移管，其前端设有电离源区，漂移管设有三段腔体，靠近电离源区的腔体部分设有一阶质子转移反应区(8)，一阶质子转移反应区(8)的后侧的腔体部分设有离子偏转区(9)，离子偏转区(9)的下侧腔体部分设有二阶质子转移反应区(10)；一阶质子转移反应区(8)的前侧设有伸入漂移管内腔的第一引入管(3)，二阶质子转移反应区(10)的上侧设有伸入漂移管内腔的第二引入管(4)。
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