[发明专利]一种势垒调控式H形栅控双向隧穿晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201711050865.9 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN107819029B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 靳晓诗;马恺璐;刘溪 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 21115 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 宋铁军 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种势垒调控式H形栅控双向隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有H形栅电极、势垒调节栅和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制金属源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。本发明具有低静态功耗、反向泄漏电流、较强的栅极控制能力、低亚阈值摆幅和可实现双向开关功能的优点。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏可互换的双向对称开关特性，因此适合推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调控 形栅控 双向 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种势垒调控式H形栅控双向隧穿晶体管，包含SOI晶圆的硅衬底（12），其特征在于：SOI晶圆的硅衬底（12）上方为SOI晶圆的衬底绝缘层（11），SOI晶圆的衬底绝缘层（11）的上方为单晶硅薄膜（1）、势垒调控栅（2）、栅电极绝缘层（7）以及绝缘介质阻挡层（13）的部分区域，单晶硅薄膜（1）具有“凹”字形几何特征，为杂质浓度低于10
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