[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201711051864.6 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN108231685B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陈文进;吴正一;郑有宏;郭人华;刘响;李锦思 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法包括提供半导体结构，该半导体结构具有有源区域和邻近于有源区域的隔离结构，该有源区域具有夹置晶体管的沟道区域的源极和漏极区域，该半导体结构还具有位于沟道区域上方的栅极结构。该方法还包括在源极和漏极区域的一个中蚀刻沟槽，其中，该沟槽暴露隔离结构的侧壁的部分，在沟槽中外延生长第一半导体层，在第一半导体层上方外延生长第二半导体层，通过蚀刻工艺改变第二半导体层的顶面的部分的晶体刻面取向，并且在改变晶体刻面取向之后，在第二半导体层上方外延生长第三半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构具有有源区域和邻近于所述有源区域的隔离结构，所述有源区域具有夹置晶体管的沟道区域的源极区域和漏极区域，所述半导体结构还具有位于所述沟道区域上方的栅极结构；在所述源极区域和所述漏极区域的一个中蚀刻沟槽，其中，所述沟槽暴露所述隔离结构的侧壁的部分；在所述沟槽中外延生长第一半导体层；在所述第一半导体层上方外延生长第二半导体层；通过蚀刻工艺改变所述第二半导体层的顶面的部分的晶体刻面取向；以及在改变所述晶体刻面取向之后，在所述第二半导体层上方外延生长第三半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
