[发明专利]一种紫外发光二极管的透明电极制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201711052464.7 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN107706278B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 王钢;涂文斌;陈梓敏;卓毅 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;C30B25/02 |
| 代理公司： | 44302 广州圣理华知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李唐明;顿海舟 |
| 地址： | 510260 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用在紫外LED的透明电极的金属有机化学气相沉淀(MOCVD)制备方法。其特征在于，沉积锡掺杂氧化铟(ITO)作为主体层前，先原位地生长一层功能调节层。本发明还公开了如何原位地生长功能调节层和主体层，在紫外LED外延片作为生长衬底材料表面依次生长功能调节层和主体层，步骤包括：生长衬底预处理；在氮化物基的紫外LED外延片表面通入铟源、锡源其一或两者混合源构成功能调节层；在功能调节层上通入铟源、锡源和氧源生长ITO薄膜构成主体层。本发明提供的ITO透明导电薄膜应用于氮化物基的紫外LED器件上具有低的正向工作电压、极高的可靠性和高效的光萃取效率，可极大地促进紫外光电器件的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 发光二极管 透明 电极 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种紫外发光二极管的透明电极制备方法，其特征在于：沉积透明电极主体层之前，原位地生长一层能对透明电极起改善作用的功能调节层，具体步骤如下，/n步骤一、生长衬底材料预处理，在外延设备内，对作为生长衬底材料的外延片表面进行酸碱化学清洗和500摄氏度以上的高温处理，有效的清除外延片表面会导致材料生长缺陷的不洁点；/n步骤二、生长功能调节层，在外延设备内，在保护气氛下，在预处理后的所述外延片表面上通入铟源或锡源，或者铟源和锡源的混合金属源，生长一层功能调节层，所述功能调节层生长温度为400-600摄氏度，设备内反应炉的压力在6-80torr；/n步骤三，生长主体层，在保护气氛下，在所述功能调节层上通入含有锡和铟的有机金属源，同时通入氧源，生长氧化铟掺锡透明导电薄膜，其形成主体层，所述主体层生长温度在400-600摄氏度，设备内反应炉的压力在6-80torr；/n所述功能调节层和主体层均使用金属有机化学气相沉积方法生长；/n所述铟源与锡源的摩尔流量比在4:1-100:1，所述铟源与氧源的摩尔流量比为1:550-1:5500，生长厚度在40-500nm。/n
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