[发明专利]半导体装置及其调整方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其调整方法，防止因出货后的热的影响导致可靠性下降。本发明的半导体装置包含内置自测试电路(110)与可变电阻式存储器。内置自测试电路(110)包含用于进行可变电阻式存储器的再成形信息设定部(230)，当进行了成形执行部(220)或测试执行部(210)的动作时，对再成形信息设定部(230)设定标记“1”。并且，当通过IR回焊而安装至电路基板后电源被接通时，内置自测试控制部(200)参照再成形信息设定部(230)的标记，若标记为“1”，则使成形执行部(220)执行可变电阻式存储器的再成形。

主权项

1.一种半导体装置的调整方法，其特征在于，是包含内置自测试电路的半导体装置的调整方法，所述调整方法包括：

设定步骤，当所述内置自测试电路进行动作时，设定是否对所述半导体装置的特性进行调整的信息；

检测步骤，检测电源被接通的情况；以及

调整步骤，响应所述检测步骤，并基于在所述设定步骤中设定的信息来调整所述半导体装置的特性。

2.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，

当通过所述内置自测试电路调整了所述半导体装置的特性时，所述设定步骤自动设定对所述半导体装置的特性进行调整的信息，

所述设定步骤是基于所述内置自测试电路的测试结果来设定信息。

3.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，

所述检测步骤是对安装至电路基板后的初次的电源接通进行检测。

4.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，

所述半导体装置包含用于表面安装至电路基板的外部端子，所述外部端子被回焊至所述电路基板的导电区域。

5.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，

所述调整步骤是可逆性且非易失性的可变电阻式存储器的成形步骤，

所述调整步骤是调整在沟道上具备电荷蓄积层的非易失性存储器的编程脉冲电压或擦除脉冲电压的初始值。

6.一种半导体装置，其特征在于，包含内置自测试电路，所述半导体装置包括：

设定部件，当所述内置自测试电路进行动作时，设定是否对所述半导体装置的特性进行调整的信息；

检测部件，检测电源被接通的情况；以及

调整部件，当由所述检测部件检测到电源接通时，基于由所述设定部件所设定的信息来调整所述半导体装置的特性。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述设定部件在所述半导体装置的特性受到调整时，自动设定用于对所述半导体装置的特性进行再调整的信息。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述内置自测试电路包含所述检测部件及所述调整部件。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置包含用于表面安装于电路基板的外部端子，

所述半导体装置包含对可逆性且非易失性的可变电阻元件存储数据的可变电阻式存储器，

所述调整部件是用于在所述可变电阻元件的电极间形成电流路径的成形。

10.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置包含在沟道上的电荷蓄积区域存储数据的非易失性存储器，

所述调整部件对用于在所述电荷蓄积区域中蓄积电荷的编程脉冲电压的初始值进行调整，

所述调整部件进而对用于从所述电荷蓄积区域擦除电荷的擦除脉冲电压的初始值进行调整。