[发明专利]一种新型双槽型金属氧化物半导体势垒肖特基二极管结构及实现方法在审
| 申请号： | 201711056246.0 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109755325A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 王茂俊;尹瑞苑 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/417;H01L29/40;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 苏爱华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种新型双槽型金属氧化物半导体势垒肖特基二极管结构及制作方法，本发明属于微电子技术领域，涉及电力电子器件制作。所述结构包括衬底、n‑漂移区、掩膜介质层、双槽型结构、绝缘介质层、阴极金属和阳极金属。在衬底上生长n‑漂移区，并在该结构上形成掩膜介质层、双槽型结构、绝缘介质层、阳极金属以及阴极金属。本发明在n‑漂移区上形成双槽型结构，在反偏大电压下，双槽型结构能有效调节电场分布，能够把体材料击穿电场发挥到极致，进一步提高器件的击穿电压，拓展了垂直结构或者准垂直结构槽型金属氧化物半导体势垒肖特基二极管的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 双槽型 金属氧化物半导体 漂移区 势垒 肖特基二极管结构 绝缘介质层 阳极金属 阴极金属 介质层 衬底 掩膜 微电子技术领域 电力电子器件 肖特基二极管 准垂直结构 垂直结构 电场分布 击穿电压 有效调节 电场 把体 槽型 反偏 击穿 制作 生长 拓展 应用 | ||
【主权项】：
1.一种新型双槽型金属氧化物半导体势垒肖特基二极管结构及实现方法，其特征在于：所述结构包括：衬底、n‑漂移区、双槽型结构、绝缘栅介质层、阳极金属和阴极金属；所述深槽位于浅槽中，双槽对称分布在阳极金属和半导体接触区域的两侧；在衬底上生长n‑漂移区材料，在晶圆表面定义槽型区域，刻蚀形成双槽型结构，然后淀积绝缘材料，并在该结构上形成肖特基阳极、欧姆阴极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711056246.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示装置的薄膜晶体管及其形成方法
- 下一篇：一种光电探测器的外壳
- 同类专利
- 专利分类
