[发明专利]一种单向TVS芯片玻钝前二次扩散工艺有效
| 申请号： | 201711057754.0 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109755112B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/225;H01L29/861;H01L21/328 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单向TVS芯片玻钝前二次扩散工艺，该方法包括如下步骤：S1磷扩散，对硅片表面预沉积磷扩散源并扩散；S2硼扩散，以印刷的方式涂布在所述硅片的待扩硼面涂硼源并扩散；S3制绒，使得硅片表面的粗糙度增加，为硅片后续玻钝工艺中保护胶的涂覆提供涂覆基础。本发明的有益效果是采用丝网印刷工艺在硅片待扩硼面印刷硼扩散源，使得硅片液态源的涂覆流程得到简化，加工周期缩减；液态源涂覆后采用负压扩散工艺，减轻硅片边缘返源情况，扩散工艺步骤简化，提高了扩散效率；制作的PN结均匀，使得硅片的加工成本降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单向 tvs 芯片 玻钝前 二次 扩散 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种单向TVS芯片玻钝前二次扩散工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1磷扩散，对硅片表面预沉积磷扩散源并扩散；S2硼扩散，以印刷的方式将硼扩散源涂布在所述硅片的待扩硼面并扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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