[发明专利]半导体芯片的插塞结构、其制造方法和多芯片封装在审
| 申请号： | 201711057851.X | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN108022872A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 黄善宽;李镐珍;文光辰;朴炳律;安振镐;李来寅 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/538;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体芯片的插塞结构、其制造方法以及包括其的多芯片封装。该半导体芯片的插塞结构包括：基板；设置在基板上的绝缘夹层；其中绝缘夹层包括设置在其中的焊盘结构；穿过基板和绝缘夹层的通孔，其中通孔暴露焊盘结构；形成在通孔的内表面上的绝缘图案，其中绝缘图案包括掩埋部分，掩埋部分填充在通孔的内表面处在基板中设置的凹口；以及形成在通孔内在绝缘图案上的插塞，其中插塞与焊盘结构电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 结构 制造 方法 封装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片的插塞结构，包括：基板；设置在所述基板上的绝缘夹层，其中所述绝缘夹层包括设置在其中的焊盘结构；穿过所述基板和所述绝缘夹层的通孔，其中所述通孔暴露所述焊盘结构；形成在所述通孔的内表面上的绝缘图案，其中所述绝缘图案包括掩埋部分，所述掩埋部分填充在所述通孔的所述内表面处在所述基板中设置的凹口；以及形成在所述通孔内在所述绝缘图案上的插塞，其中所述插塞与所述焊盘结构电连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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