[发明专利]一种分栅IGBT功率器件有效
| 申请号： | 201711058074.0 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109755304B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 毛振东;刘磊;袁愿林;刘伟;王睿 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 211103 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种分栅IGBT功率器件，包括发射极、集电极、第一栅极、第二栅极、第三栅极、体二极管和体区接触二极管，所述体二极管的阴极与所述集电极连接，所述体区接触二极管的阳极与所述体二极管的阳极连接，所述体区接触二极管的阴极与所述发射极连接，所述第一栅极通过分栅IGBT功率器件的栅极电压来控制分栅IGBT功率器件中的第一电流沟道的开启和关断，所述第二栅极、第三栅极与所述发射极连接，所述第二栅极通过发射极电压来控制分栅IGBT功率器件中的第二电流沟道的开启和关断，所述第三栅极为屏蔽栅极并通过发射极电压来提高该分栅IGBT功率器件的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 功率 器件 | ||
【主权项】：
1.一种分栅IGBT功率器件，其特征在于，包括发射极、集电极、第一栅极、第二栅极、第三栅极、体二极管和体区接触二极管，所述体二极管的阴极与所述集电极连接，所述体区接触二极管的阳极与所述体二极管的阳极连接，所述体区接触二极管的阴极与所述发射极连接，所述第一栅极通过分栅IGBT功率器件的栅极电压来控制分栅IGBT功率器件中的第一电流沟道的开启和关断，所述第二栅极、第三栅极与所述发射极连接，所述第二栅极通过发射极电压来控制分栅IGBT功率器件中的第二电流沟道的开启和关断，所述第三栅极为屏蔽栅极并通过发射极电压来提高该分栅IGBT功率器件的耐压。
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