[发明专利]一种沟槽型超结功率器件有效
| 申请号： | 201711058205.5 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109755289B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;袁愿林;龚轶 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 211103 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供的一种沟槽型超结功率器件，包括源极、漏极、第一栅极、第二栅极、体二极管和体区接触二极管，体二极管与体区接触二极管串联连接，第一栅极通过栅极电压来控制第一栅极所控制的第一电流沟道的开启和关断，第二栅极与源极连接并通过源极电压来控制第二栅极所控制的第二电流沟道的开启和关断。本发明的一种沟槽型超结功率器件在关断时，能够大幅降低流经体二极管的反向电流，从而能够大幅降低体二极管内的少子载流子，使得沟槽型超结功率器件实现快速的反向恢复功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 型超结 功率 器件 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型超结功率器件，其特征在于，包括：n型漏区以及位于所述n型漏区之上的n型漂移区，所述n型漂移区内设有至少两个平行设置的p型柱状外延掺杂区，所述p型柱状外延掺杂区的顶部设有p型体区，所述p型体区内设有p型体区接触区、第一n型源区和第二n型源区；位于所述p型体区接触区之上的导电层，所述导电层与所述p型体区接触区形成体区接触二极管结构，其中所述导电层为所述体区接触二极管的阴极，所述p型体区接触区为所述体区接触二极管的阳极；位于相邻两个所述p型体区之间且凹陷在所述n型漂移区内的栅极沟槽，所述栅极沟槽内设有栅介质层、第一栅极和第二栅极；位于所述p型体区内且介于所述第一n型源区与所述n型漂移区之间的第一电流沟道，所述第一栅极通过栅极电压来控制所述第一电流沟道的开启和关断；位于所述p型体区内且介于所述第二n型源区与所述n型漂移区之间的第二电流沟道，所述第二栅极、第一n型源区、第二n型源区、导电层之间电性连接并均接源极电压，所述第二栅极通过源极电压来控制所述第二电流沟道的开启和关断。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州东微半导体有限公司，未经苏州东微半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711058205.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
