[发明专利]轴向气相沉积法制备超低损耗光纤预制棒及光纤

摘要

本发明公开了一种超低损耗光纤，通过在VAD沉积工艺过程中添加碱金属元素，使得芯层粘度降低，与内包层和外包层更为匹配，且内应力降低，以此来制造低传输衰减的超低损耗光纤。本发明的一种超低损耗光纤的制备方法以传统VAD沉积工艺为基础，在沉积过程中掺杂少量碱金属，且掺杂量小，气流量小，不会对正常沉积过程产生过多影响，在沉积的同时完成掺杂，不会延长生产周期，因此能保证生产稳定，生产工艺不复杂，可用于规模化生产。本发明能够将光纤衰减优化至超低损耗标准，在长距离低衰减的高速传输中可以减少中继站，降低成本，提高传输质量。

主权项

一种超低损耗光纤，其特征在于：包括依次包覆的芯层，内包层和外包层，所述芯层为掺杂碱金属离子的纯硅棒，所述芯层中掺杂的碱金属离子浓度为200ppm‑500ppm，所述内包层为掺氟石英套管，所述外包层为OVD合成外包层；所述芯层与所述内包层的相对折射率差Δ1≈0.4％‑0.6％，所述内包层与所述外包层的相对折射率差Δ2≈‑0.3％‑‑0.4％。