[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201711062767.7 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN107910375A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 王国英;宋振 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;H01L29/45;H01L21/336;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管包括基板以及设置在基板上的有源层和第一源漏电极，第一源漏电极与有源层连接；通过设置与有源层直接接触的第一源漏电极，其中所述栅极与所述第一源漏电极的厚度和材料相同；相对现有技术，无需在第一源漏电极和有源层之间再设置LDD区域，因此，源漏电极与有源层之间的总电阻也就不再包括LDD区域本身的电阻，从而有效地减小了源漏电极与有源层之间的电阻；同时由于第一源漏电极对侧面光线的有效遮挡，可以进一步提高TFT的光照稳定性；而且由于栅极与第一源漏电极的材料与厚度相同，使得栅极与第一源漏电极可以同步形成，从而简化制备工艺，提升良率的同时减低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：基板，以及设置在所述基板上的有源层和第一源漏电极，所述第一源漏电极与所述有源层连接；层叠设置在所述有源层上的第一绝缘层和栅极，所述栅极与所述第一源漏电极的厚度和材料相同。
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