[发明专利]一种蒽并二噻吩酰亚胺聚合物及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 201711062918.9 申请日: 2017-11-02
公开(公告)号: CN109749058B 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 于贵;黄剑耀;陈智慧;张卫锋 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: C07D495/22 分类号: C07D495/22;C08G61/12;H01L51/30
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 关畅;王春霞
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种蒽并二噻吩酰亚胺聚合物及其制备方法与应用。所述蒽并二噻吩酰亚胺聚合物的结构式如式I所示,其中R为C1~C60的直链或支链烷基。本发明提供的式I所示化合物能够作为半导体层用于制备聚合物场效应晶体管。以本发明蒽并二噻吩酰亚胺聚合物为半导体层制备的有机场效应晶体管的迁移率(μ)和开关比都非常高(μ最高超过4cm2V‑1s‑1,开关比大于104),在有机场效应晶体管中有良好的应用前景。
搜索关键词: 一种 噻吩 亚胺 聚合物 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.式I所示聚合物:式I中,R为C1~C60的直链或支链烷基;π基团选自如下基团中的任意一种:π基团中,表示取代位;n为5~100。
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