[发明专利]航天领域使用的纳米半导体材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201711063110.2 申请日: 2017-11-02
公开(公告)号: CN107601442A 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 程桂平 申请(专利权)人: 程桂平
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100301 北京市朝阳*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种半导体材料的制备方法,本发明的半导体材料能应用于航空领域,航天领域,高铁,新能源,汽车领域等多种领域。
搜索关键词: 航天 领域 使用 纳米 半导体材料 制备 方法
【主权项】:
一种半导体材料制备方法,包括:步骤1:将0.892g氧化铅,5 mL 油酸和12mL 十八烯装进三口瓶;步骤2:将该三口瓶与包括冷凝管、磁力搅拌器、热电偶和加热套的反应系统组合在一起;步骤:3:向三口瓶中通入氮气,保持一段时间以排除反应系统中的空气;步骤4:在氮气氛围下将三口瓶加热至第一温度,直到黄色氧化铅完全溶解,反应溶液变得澄清;步骤5:在氧化铅完全溶解后,将反应溶液的温度降低至第二温度并保持稳定;步骤6:取1mg硒粉溶解到8mL磷酸三正丁酯中;步骤7:将步骤6制备获得的溶液迅速注入到步骤5制备获得的反应液中,反应溶液的温度会迅速降低至第三温度,其颜色从无色转变为暗棕色,表明己经有PbSe量子点生成;步骤8:保持溶液温度恒定,3分钟后向其中迅速注入50mL甲醇将反应扑灭,制备获得PbSe量子点溶液;步骤9:将步骤8制备获得的溶液放入200mL的离心管中,并加入甲醇直至将离心管装满;步骤10:在5000rpm的条件下离心一段时间,并倒掉离心后的上清液,加入8mL正辛烷将其底部的量子点沉淀溶解掉;步骤11:往离心管中添加正丁醇至满,再次以上述条件进行离心;步骤12:将离心所得的沉淀溶解于1mL左右的正辛烷,放在冰箱冷冻一段时间,之后将其取出并在12000rpm下高速离心;步骤13:离心后取上清液,即为提纯后的量子点溶液。
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