[发明专利]一种双面PERC晶体硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种双面PERC晶体硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤(1)硅片去损伤、制绒和清洗；(2)扩散形成pn结及正面激光掺杂；(3)刻蚀及去PSG；(4)镀背面钝化薄膜；(5)镀正面减反射膜；(6)背面印刷硼源浆料；(7)背面激光掺杂及开窗；(8)背面电极印刷；(9)正面电极印刷。本发明将激光掺杂技术运用到正面形成选择性发射极与背面局部硼掺杂的工艺中，在常规PERC电池工艺基础上，仅增加扩散后激光掺杂和印刷硼源浆料两道工艺，便极大的提升了双面PERC电池的转换效率。且采用二次印刷对准激光打印的MARK点的方式，实现双面PERC电池的背面金属化，该方法完全解决了丝网印刷双面PERC电池背面铝栅线与激光开窗栅线难对准的问题。

主权项

一种双面PERC晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)硅片去损伤、制绒和清洗：将硅片去损伤层后，在温度为80～85℃的碱液和添加剂体系中制绒，在硅片的正反面形成绒面，然后在酸性溶液中清洗，去除表面杂质；(2)扩散形成PN结及正面激光掺杂：对硅片进行高温磷扩散形成PN结，扩散温度为830～860℃，扩散时间为80～100分钟，扩散后表面方块电阻为130～160Ω/□，使用激光对硅片正面进行加热，将磷硅玻璃中的磷原子推进到PN结里，形成相应的N++层，得到激光掺杂的正面主栅线和副栅线，激光掺杂图形为后道丝网印刷正电极图形；(3)刻蚀及去PSG：去除扩散后硅片正面磷硅玻璃和背面PN结，同时对硅片背面化学抛光；(4)镀背面钝化薄膜：在硅片的背面沉积氧化铝/氮化硅叠层钝化薄膜；(5)镀正面减反射膜：在硅片的正面沉积二氧化硅/氮化硅/氮氧化硅减反射薄膜；(6)背面印刷硼源浆料：按照背面电极图形，在硅片背面印刷硼源浆料，作为激光掺杂的硼源；(7)背面激光掺杂及开窗：使用激光对硅片背面进行加热，使硅片加热至熔融状态，在激光对硅片表面加热开槽的同时，硼源浆料内的硼原子融入熔融状态的硅中，当激光的光斑从熔融的区域移开后，此区域开始冷却并再结晶，融入的硼原子与硅形成合金，形成相应的P++层，得到激光掺杂的背面副栅线及背面二次印刷对准所需的MARK点；(8)背面电极印刷：在硅片背面印刷背面银电极，采用二次印刷对准激光打印的MARK点的方式印刷背面铝栅线图形；(9)正面电极印刷：在硅片正面印刷正面电极图形。