[发明专利]可行列寻址的共面聚焦纳米冷阴极电子源阵列及制作方法有效
| 申请号： | 201711063201.6 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN107818899B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 陈军;刘垣明;赵龙;邓少芝;许宁生;佘峻聪 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 林玉芳 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可行列寻址的共面聚焦纳米冷阴极电子源阵列。该电子源阵列结构通过刻蚀通孔以及环状顶部环状栅极电极实现分段电极桥接串联，可以在聚焦极和栅极在同一个平面的情形下实现纳米冷阴极电子源行列寻址功能。本发明进一步公开了所述纳米冷阴极电子源阵列的制作方法。本发明的纳米冷阴极电子源阵列制备工艺简单，有较好的聚焦电子束能力以及可寻址发射能力，作为大面积电子源在平板X射线源、场发射显示器等领域有重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 行列 寻址 聚焦 纳米 阴极 电子 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种可行列寻址的共面聚焦结构纳米冷阴极电子源阵列，其特征在于所述结构包括：a)衬底；b)制作在上述衬底上且垂直排布的底部阴极电极和底部栅极电极，所述底部栅极电极分列于底部阴极电极两侧且不与所述底部阴极电极相接；c)覆盖在上述底部栅极电极和底部阴极电极上的绝缘层，所述绝缘层上刻蚀有分别使底部栅极电极和底部阴极电极局部裸露的若干刻蚀通孔；d)制作在上述绝缘层上的顶部阴极电极，所述顶部阴极电极通过所述刻蚀通孔与底部阴极电极相连；e)制作在上述绝缘层上、环绕在顶部阴极电极外侧且与顶部阴极不相互连接的顶部环状栅极电极，所述顶部环状栅极电极通过至少两个刻蚀通孔分别与位于底部阴极电极两侧的底部栅极电极相连，实现分段底部栅极电极的串联；f)制作在上述顶部阴极电极上的纳米冷阴极。
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