[发明专利]一种石墨盘有效
申请号: | 201711063370.X | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN107587118B | 公开(公告)日: | 2020-03-03 |
发明(设计)人: | 罗睿宏;翟勇鹏;张晓荣;黄香魁 | 申请(专利权)人: | 江苏华功半导体有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 215211 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种石墨盘,该石墨盘包括:第一石墨盘和至少一个第二石墨盘;第一石墨盘上设有用于放置第二石墨盘的至少一个凹槽,凹槽底部设置有螺旋型通气轨道槽,凹槽底部中心还设置有用于固定第二石墨盘的支撑柱;第二石墨盘的底部中心设置有与支撑柱匹配的固定槽,第二石墨盘通过固定槽固定在第一石墨盘的凹槽的支撑柱上;第二石墨盘包括片槽和片槽挡墙,片槽挡墙上设置有多个凹槽结构,任意相邻两个凹槽结构之间存在间隔。本发明实施例提供的石墨盘,提高了第二石墨盘的片槽边缘与片槽中心的温度场的均匀性,使气流可以更好的流过放置在第二石墨盘中的衬底的表面,衬底上的外延层边缘生长效果好,厚度均匀,外延层的质量更好。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 | ||
【主权项】:
一种石墨盘,其特征在于,包括:第一石墨盘和至少一个第二石墨盘;所述第一石墨盘上设有用于放置所述第二石墨盘的至少一个凹槽,所述凹槽底部设置有螺旋型通气轨道槽,所述凹槽底部中心还设置有用于固定所述第二石墨盘的支撑柱;所述第二石墨盘的底部中心设置有与所述支撑柱匹配的固定槽,所述第二石墨盘通过所述固定槽固定在所述第一石墨盘的凹槽的支撑柱上;所述第二石墨盘包括片槽和片槽挡墙,所述片槽挡墙上设置有多个凹槽结构,任意相邻两个所述凹槽结构之间存在间隔。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的