[发明专利]一种复合衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 201711063388.X | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN107845569A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 梁智文;张晓荣;黄香魁;龚长春;李瑶 | 申请（专利权）人： | 江苏华功半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215211 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合衬底及其制备方法，其中所述复合衬底包括衬底；以及位于所述衬底背面图形化的应力补偿功能层；所述应力补偿功能层的等效热膨胀系数大于所述衬底的热膨胀系数和/或应力补偿功能层的等效晶格常数小于所述衬底的晶格常数。本发明的技术方案解决了在传统衬底上，特别是在大尺寸衬底上外延生长时，外延器件中应力较大、容易发生变形而导致外延层均匀性差甚至龟裂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种复合衬底，其特征在于，包括：衬底；以及位于所述衬底背面图形化的应力补偿功能层；所述应力补偿功能层的等效热膨胀系数大于所述衬底的热膨胀系数和/或应力补偿功能层的等效晶格常数小于所述衬底的晶格常数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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