[发明专利]一种低栅源电容的UMOS器件结构及制备方法在审
| 申请号： | 201711064656.X | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN107845685A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 杨丰;吴昊;付晓君;向凡;郑直 | 申请（专利权）人： | 中电科技集团重庆声光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 401332 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低栅源电容的UMOS器件结构及制备方法，该结构包括N型衬底；设置于所述N型衬底表面的N型外延层；设置于所述N型外延层表面的P型体区；设置于所述P型体区表面的N+型源区；贯穿所述N+型源区和P型体区且位于N型外延层内的沟槽；生长于沟槽底部的底部厚氧栅；该底部厚氧栅位于N型外延层内；生长于底部厚氧栅表面和沟槽侧壁上的侧壁栅氧；形成于侧壁栅氧表面且填充于沟槽内的多晶硅；多晶硅顶部两侧通过刻蚀形成栅极结构；生长于侧壁栅氧表面且填充于被刻蚀的多晶硅部分的侧壁厚栅氧。本发明在传统UMOS流片工艺步骤的基础上，只需增加多晶硅再次刻蚀和侧壁厚栅氧生长两个工艺步骤，便有效地降低了UMOS的栅源电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低栅源 电容 umos 器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低栅源电容的UMOS器件结构，其特征在于：包括N型衬底(101)；设置于所述N型衬底表面的N型外延层(102)；设置于所述N型外延层表面的P型体区(103)；设置于所述P型体区表面的N+型源区；贯穿所述N+型源区和P型体区且位于N型外延层内的沟槽；生长于沟槽底部的底部厚氧栅(201)；该底部厚氧栅位于N型外延层内；生长于底部厚氧栅表面和沟槽侧壁上的侧壁栅氧(202)；形成于侧壁栅氧表面且填充于沟槽内的多晶硅(203)；多晶硅顶部两侧通过刻蚀形成栅极结构；生长于侧壁栅氧表面且填充于被刻蚀的多晶硅部分(204)的侧壁厚栅氧(205)。
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