[发明专利]一种低栅源电容的UMOS器件结构及制备方法在审

专利信息
申请号: 201711064656.X 申请日: 2017-11-02
公开(公告)号: CN107845685A 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 杨丰;吴昊;付晓君;向凡;郑直 申请(专利权)人: 中电科技集团重庆声光电有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司11275 代理人: 赵荣之
地址: 401332 重庆市*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明涉及一种低栅源电容的UMOS器件结构及制备方法,该结构包括N型衬底;设置于所述N型衬底表面的N型外延层;设置于所述N型外延层表面的P型体区;设置于所述P型体区表面的N+型源区;贯穿所述N+型源区和P型体区且位于N型外延层内的沟槽;生长于沟槽底部的底部厚氧栅;该底部厚氧栅位于N型外延层内;生长于底部厚氧栅表面和沟槽侧壁上的侧壁栅氧;形成于侧壁栅氧表面且填充于沟槽内的多晶硅;多晶硅顶部两侧通过刻蚀形成栅极结构;生长于侧壁栅氧表面且填充于被刻蚀的多晶硅部分的侧壁厚栅氧。本发明在传统UMOS流片工艺步骤的基础上,只需增加多晶硅再次刻蚀和侧壁厚栅氧生长两个工艺步骤,便有效地降低了UMOS的栅源电容。
搜索关键词: 一种 低栅源 电容 umos 器件 结构 制备 方法
【主权项】:
一种低栅源电容的UMOS器件结构,其特征在于:包括N型衬底(101);设置于所述N型衬底表面的N型外延层(102);设置于所述N型外延层表面的P型体区(103);设置于所述P型体区表面的N+型源区;贯穿所述N+型源区和P型体区且位于N型外延层内的沟槽;生长于沟槽底部的底部厚氧栅(201);该底部厚氧栅位于N型外延层内;生长于底部厚氧栅表面和沟槽侧壁上的侧壁栅氧(202);形成于侧壁栅氧表面且填充于沟槽内的多晶硅(203);多晶硅顶部两侧通过刻蚀形成栅极结构;生长于侧壁栅氧表面且填充于被刻蚀的多晶硅部分(204)的侧壁厚栅氧(205)。
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