[发明专利]一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201711064702.6 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN107871803B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;李水清;周启伦;钟志白;吴雅萍;杜伟华;李志明;邓和清;臧雅姝;林峰;陈松岩;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法，包括：N型氮化物半导体，多量子阱，P型氮化物半导体，所述多量子阱由阱层和垒层构成的周期性结构，阱层采用相分离控制方法生长，包括相分离层生长方法和非相分离层生长方法，阱层由至少一相分离层和一非相分离层组成，相分离层形成激子限域深势阱和三维量子限制多量子态的量子点，抑制载流子被非辐射复合中心俘获，并给非相分离层施加量子效应和提供空穴与电子注入，非相分离层则提供电子和空穴辐射复合的势阱，控制发光波长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 半导体 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光二极管，包括：N型氮化物半导体，多量子阱，P型氮化物半导体，其特征在于：所述多量子阱由阱层和垒层构成的周期性结构，阱层由至少一相分离层和一非相分离层组成，所述相分离层和非相分离层在空间上沿c轴有序分开，保证二者之间存在尖锐的界面，所述相分离层不参与辐射复合，该层形成激子限域深势阱和三维量子限制多量子态的量子点，抑制载流子被非辐射复合中心俘获，并给非相分离层施加量子效应和提供空穴与电子注入；所述非相分离层提供电子和空穴辐射复合的势阱，控制发光波长。/n
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