[发明专利]两级台面铟镓砷/铟磷雪崩光电二极管及其制备方法

摘要

本发明属于光电检测以及图像传感器领域，为实现在保证器件中心区域高电场的同时，抑制边缘电场，降低器件暗电流，为产业应用提供参考依据。本发明，两级台面铟镓砷/铟磷雪崩光电二极管及其制备方法，结构包括N+‑InP衬底、N‑InP缓冲层、N‑‑铟镓砷In0.53Ga0.47As吸收层、N‑铟镓砷磷In(1‑x)GaxAsyP(1‑y)组分渐变层、N‑InP电荷层、i‑InP倍增层、P‑InP电场缓冲层以及P+‑InP接触层；其中，P‑InP电场缓冲层经刻蚀形成了浅台面，N‑InP缓冲层经刻蚀形成了深台面，光生载流子在倍增层内不断碰撞电离，引发雪崩倍增。本发明主要应用于光电检测、光电传感器设计场合。

主权项

一种两级台面铟镓砷/铟磷雪崩光电二极管，其特征是，结构包括N+‑InP衬底、N‑InP缓冲层、N‑‑铟镓砷In0.53Ga0.47As吸收层、N‑铟镓砷磷In(1‑x)GaxAsyP(1‑y)组分渐变层、N‑InP电荷层、i‑InP倍增层、P‑InP电场缓冲层以及P+‑InP接触层；其中，P‑InP电场缓冲层经刻蚀形成了浅台面，N‑InP缓冲层经刻蚀形成了深台面，In0.53Ga0.47As吸收层接收入射光子能量，产生电子空穴对，组分渐变层降低因InP与InGaAs材料的价带差异而引入的空穴势垒，电荷层调节倍增层和吸收层之间的电场分布，保证倍增层有较高的电场，光生载流子在倍增层内不断碰撞电离，引发雪崩倍增。