[发明专利]用于人工光合作用的氮化镓基器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201711065150.0 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN107845848B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 陈贵锋;马苗苗;张辉;解新建;陆书龙 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01M14/00 | 分类号： | H01M14/00;B82Y30/00;C07C51/00 |
| 代理公司： | 33200 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 300401天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于人工光合作用的氮化镓基器件，自下而上有玻璃衬底、钼层、CIGS层、CdS层、本征ZnO层、TCO层、键合界面层、GaN层、InGaN层、NiO纳米颗粒层。其制备步骤如下：在玻璃衬底上沉积钼层，在其上共蒸发生长CIGS层，再依次沉积CdS层、ZnO层、TCO层；在GaN衬底上生长InGaN层；通过键合技术将GaN衬底键合于TCO层上，再在InGaN层表面生长NiO纳米颗粒层，获得用于人工光合作用的氮化镓基器件。本发明的氮化镓基器件具有吸收系数高、电流易调整且稳定性高的优点，可作为光阳极材料用于人工光合作用中，对减少二氧化碳排放以及新能源的开发利用具有非常重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 人工 光合作用 氮化 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于人工光合作用的氮化镓基器件，其特征在于，该器件自下而上依次有玻璃衬底、钼层、Cu(In,Ga)Se2层、CdS缓冲层、本征ZnO层、TCO层、键合界面层、n型GaN层、InGaN层、NiO纳米颗粒层；所述的InGaN层为In0.2Ga0.8N；所述的键合界面层的键合电阻小于1×10-4Ωcm2，且透光率大于95％。/n
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