[发明专利]一种图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201711065266.4 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN107845624A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 佟璐;穆钰平;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 张振军,吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括半导体衬底，所述半导体衬底包括并列的像素阵列区和逻辑区，所述像素阵列区内的半导体衬底内具有光电二极管；栅格，所述栅格在所述像素阵列区的半导体衬底表面上围成对应于所述光电二极管的开口，所述栅格包括金属栅格，所述金属栅格的一端嵌入所述半导体衬底内；电荷引导层，所述电荷引导层的一端嵌入所述逻辑区的半导体衬底内，并与所述金属栅格电连接；滤色镜，设置于所述开口内。通过本发明提供的方案能够更好的解决器件内电荷残留所导致的电子串扰问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括并列的像素阵列区和逻辑区，所述像素阵列区内的半导体衬底内具有光电二极管；栅格，所述栅格在所述像素阵列区的半导体衬底表面上围成对应于所述光电二极管的开口，所述栅格包括：金属栅格，所述金属栅格的一端嵌入所述半导体衬底内；电荷引导层，所述电荷引导层的一端嵌入所述逻辑区的半导体衬底内，并与所述金属栅格电连接；滤色镜，设置于所述开口内。
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