[发明专利]一种InAs/GaSb超晶格红外探测器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种InAs/GaSb超晶格红外探测器及其制作方法，针对现有技术中，在外延生长数百周期InAs/GaSb超晶格材料时，InAs与GaSb之间存在晶格失配，累积的应力导致InAs/GaSb超晶格材料中形成大量的生长缺陷的问题，本发明提出一种两步Sb浸润的方法，在生长InAs层之后先沉积一层Sb，形成富Sb表面，然后沉积In，之后再沉积一层Sb，使In与Sb充分反应，形成高质量的InSb界面层，以此平衡和消除InAs与GaSb之间的应力，提高InAs/GaSb超晶格材料的质量。同时，本发明在InAs/GaSb超晶格结构和GaSb衬底之间引入AlAsSb牺牲层，实现了衬底的无损剥离。

主权项

一种InAs/GaSb超晶格红外探测器，包括InAs/GaSb超晶格结构，所述InAs/GaSb超晶格结构包括交替生长的GaSb层、InAs层，其特征在于，在所述GaSb层与InAs层之间包括InSb界面层，位于InAs层上表面的所述InSb界面层包括两层Sb浸润层。