[发明专利]微元件的封装方法有效
申请号: | 201711065564.3 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN108039415B | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 钟志白;李佳恩;郑锦坚;杨力勋;徐宸科;康俊勇 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L33/48;H01L33/52;H01L33/62 |
代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 冯华 |
地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供一种微元件的封装方法,包括:1)于基底上形成封装材料层,并对封装材料层进行半固化处理;2)基于封装材料层的表面粘性,将微元件的阵列抓取于封装材料层表面;3)将微元件的阵列与封装基板上的共晶金属对准接合;4)对微元件的阵列与共晶金属下进行共晶处理,并保持封装材料的半固化状态;5)将半固化的封装材料层与封装基板进行压合,使封装材料层包覆微元件,并对封装材料进行完全固化;以及6)去除基底。本发明利用半固化的硅胶实现微元件的抓取,并利用低温高真空压合实现微元件的转移及密封,工艺简单流畅,可实现微元件的无空隙封装,提高封装质量并有效降低封装成本。 | ||
搜索关键词: | 元件 封装 方法 | ||
【主权项】:
1.一种微元件的封装方法,其特征在于,所述封装方法包括步骤:1)提供一基底,于所述基底上形成封装材料层,并对所述封装材料层在第一温度下进行半固化处理,其中,所述第一温度低于所述封装材料层的完全固化温度,以保证所述封装材料层具有粘性;2)提供微元件的阵列,基于所述封装材料层的表面粘性,将所述微元件的阵列抓取于所述封装材料层表面;3)提供一封装基板,所述封装基板表面具有与所述微元件的阵列对应的共晶金属,将所述微元件的阵列与所述共晶金属对准接合;4)对所述微元件的阵列与所述共晶金属在第二温度下进行共晶处理,并保持封装材料的半固化状态;5)将半固化的所述封装材料层与所述封装基板进行压合,使所述封装材料层包覆所述微元件,并对所述封装材料进行完全固化;以及6)去除所述基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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