[发明专利]一种晶体硅太阳能电池刻蚀工艺在审
| 申请号： | 201711067425.4 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN107887269A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 徐峰;谢毅;陈刚;谭飞;徐光 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（安徽）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065;H01L31/18 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所53113 | 代理人： | 张玺 |
| 地址： | 230088 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种晶体硅太阳能电池刻蚀工艺，包括以下步骤1)将硅片放入等离子体刻蚀机腔体中，经过氧等离子体轰击清洗；2)刻蚀气体SF6/O2气体流量比为1‑2∶1，并通入流量5‑10sccm的CH4，控制工作气压为10‑20Pa，射频源功率100W，刻蚀时间为10‑15min；3)用NaOH溶液清洗硅片。在本发明中我们提供了一种晶体硅太阳能电池刻蚀工艺，本发明中我们首先利用刻蚀气体SF6/O2与Si反应聚合形成化学性质稳定的SiOyFx聚合物层，阻碍了进一步刻蚀，从而优化刻蚀效果，而CH4的加入可使离子获得更高的能量，粒子轰击效应增强，使硅片少子寿命和晶体硅电池填充因子明显提高，最后利用低浓度碱溶液处理，以达到去除损伤层和对样品表面结构重构的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池刻蚀工艺，其特征在于，包括以下步骤：1)将硅片放入等离子体刻蚀机腔体中，经过氧等离子体轰击清洗8‑10min，射频源功率100W，反应气压2‑10Pa；2)刻蚀气体SF6/O2气体流量比为1‑2∶1，并通入流量5‑10sccm的CH4，控制工作气压为10‑20Pa，射频源功率100W，刻蚀时间为10‑15min；3)用浓度为1‑5％NaOH溶液清洗硅片，时间为30‑60s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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