[发明专利]一种多晶硅还原炉

摘要

本发明公开了一种多晶硅还原炉，包括有炉体、底盘和电极，还原炉的内部分成热气流层、晶硅生长区及冷气流层三个区域，冷气流层位于还原炉的底部，其与底盘相接；在底盘设置有氢气喷嘴，通过氢气喷嘴朝还原炉喷射氢气气流形成冷气流层；热气流层位于还原炉的顶部，热气流层底部与硅棒顶部的距离为100‑500mm。本发明具有以下优点第一，多晶硅硅棒高度低于还原炉顶部热气流层，避免硅棒暴露在顶部热气流层而导致硅棒横梁熔断、生长菜花料；第二，多晶硅生长区气相及多晶硅棒温度均保持在适合物料反应、沉积的温度，可以产出具有高品质的多晶硅整棒；第三，冷气流层可使还原炉底部始终保持在低温状态，阻止物料沉积在磁环、石墨底座及电极上。

主权项

一种多晶硅还原炉，包括有炉体、底盘和电极，炉体安装于底盘上，电极位于炉体中并安装于底盘上，底盘上设置有进气口和出气口，硅棒生长于电极上，其特征在于：通过对炉体高度参数及炉体内部温度参数的控制，将该还原炉的内部分成热气流层、晶硅生长区及冷气流层三个区域，其中，冷气流层位于还原炉的底部，其与底盘相接；冷气流层由自底盘朝上喷出的氢气气流形成，在底盘设置有若干氢气喷嘴，氢气喷嘴对接有氢气供气机构，通过氢气喷嘴朝还原炉喷射氢气气流将冷气流层的温度控制在200‑600℃之间；通过氢气喷嘴喷出的氢气将富集在底盘表面的硅粉保持在流化状态，处于流化状态的硅粉以其更大的表面积充当热反射载体，对炉体内部的热量进行反射补充而降低还原炉热量的损失；热气流层位于还原炉的顶部，热气流层通过将还原炉顶部与硅棒顶部的距离设置为1000‑1500mm，而形成热气流层底部与硅棒顶部的距离为100‑500mm，形成硅棒远离热气流层的结构；晶硅生长区位于热气流层与冷气流层之间，硅棒生长于该晶硅生长区内，晶硅生长区的气相温度控制为800‑900℃。