[发明专利]纳米线晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201711068065.X | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN109755290B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 唐粕人 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米线晶体管及其制备方法，包括：在衬底形成相互堆叠的牺牲层和纳米线；形成伪栅，伪栅位于堆叠的牺牲层和纳米线上方；除去相邻伪栅之间的牺牲层与纳米线，以形成源/漏区域；形成隔离结构，隔离结构位于源/漏区域底部的衬底表面，以隔离源/漏区域和衬底；和在源/漏区域内形成源/漏极，源/漏极位于隔离结构上方，且与相邻的纳米线的侧面接触。隔离结构对源/漏极和衬底进行隔离，避免两者之间发生电流泄露的现象。同时，栅极结构与源/漏极之间存在内部侧墙，解决了源/漏极与栅极结构之间寄生电容过大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米线晶体管，其特征在于，包括：设置于衬底上的栅极结构；源/漏极，所述源/漏极位于所述栅极结构的两侧；纳米线，所述纳米线设置于所述栅极结构内部，所述纳米线的两侧面均与所述源/漏极接触；和隔离结构，所述隔离结构形成于所述衬底与所述源/漏极之间，以隔离所述衬底和所述源/漏极。
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