[发明专利]一种自驱动光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 201711068238.8 | 申请日: | 2017-11-03 |
公开(公告)号: | CN107768463A | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 李春;户守明;何天应;肖入彬 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 成都正华专利代理事务所(普通合伙)51229 | 代理人: | 李蕊 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种自驱动光电探测器及其制备方法,属于光电探测技术领域。本发明在绝缘基底上设置n‑型二维层和p‑型二维层,在零偏压驱动下可以使得光生载流子在内建电势作用下快速分离,可以实现器件的自驱动。本发明光电流稳定,并对紫光(<500nm)有良好的选择性,可作为节能型自驱动探测器,而且制作方法简单,成本低,在光电探测和光伏电池方面有重要作用。 | ||
搜索关键词: | 一种 驱动 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种自驱动光电探测器,其特征在于,包括:绝缘基底、设置于所述绝缘基底上的半导体薄膜层以及设置于所述半导体薄膜层上的金属电极层;其中,所述半导体薄膜层包括由过渡金属硫化物构成的n‑型二维层以及由金属碘化物构成的p‑型二维层,所述n‑型二维层设置于所述绝缘基底上,所述p‑型二维层成型在所述n‑型二维层上;其中,所述金属电极层包括源电极层和漏电极层,所述源电极层和所述漏电极层均包括层叠布置的钛层和金层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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