[发明专利]一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET结构及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体的技术领域，更具体地，涉及一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET结构及其制备方法。一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET制备方法，包括下述步骤首先提供所需衬底，在所述衬底上依次外延生长应力缓冲层、GaN缓冲层、AlN薄层以及AlGaN薄层，通过刻蚀处理，保留栅极区域之上的AlN薄层以及AlGaN薄层，获得进行选择区域外延的基板。在所述基板上依次选择区域外延GaN沟道层、AlN插入层以及AlGaN势垒层，形成凹槽结构。再沉积栅介质层，栅极金属覆盖于凹槽沟道栅介质层之上，栅极两端覆盖金属形成源极和漏极。本发明能够有效提高阈值电压、栅区迁移率、降低沟道电阻、改善GaN MOSFET器件的导通性能。

主权项

一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET结构，其特征在于，由下往上依次包括衬底（1），应力缓冲层（2），GaN外延层（3），AlN外延层（4），AlGaN外延层（5），二次外延层（6），二次外延形成凹槽，栅介质层（7），两端形成源极（8）和漏极（9），凹槽沟道处的绝缘层（7）上覆盖有栅极（10）。