[发明专利]一种基于交叉点阵列的阻变存储器的写入方法有效
申请号: | 201711069120.7 | 申请日: | 2017-11-03 |
公开(公告)号: | CN108053852B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 冯丹;童薇;刘景宁;汪承宁;张扬;李艺林 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C16/10 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 廖盈春;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于交叉点阵列的阻变存储器的写入方法,属于信息存储领域。本发明方法通过动态地选择最短的电压降路径来提升有效电压,降低写入延迟;通过一种区域划分方式来缩小各个区域内的写入延迟差异,以减小各个区域的写入延迟,同时保证了单元级并行度;通过一种编址与寻址方式来在物理地址和单元位置之间建立映射,使得写入延迟随着物理地址递增,有利于地址映射、内存分配与编译优化,并提供了一种并行寻址电路系统来加速寻址过程;通过一种特定的电压偏置模式来在既不同行也不同列的单元之间重叠SET和RESET过程,开发了交叉点阵列中的行级并行。本发明方法能够降低阻变存储器的写入延迟,提升写入带宽,减少写入能耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 交叉点 阵列 存储器 写入 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于交叉点阵列的阻变存储器的写入方法,其特征在于,所述方法包括:(1)将1个交叉点阵列划分为4个子阵,根据所访问单元的物理地址动态地配置外围电路,使得位于不同的子阵中的存储单元由其最近的电压源对其进行偏置;(2)将每个子阵划分为m×m个子块,由各个子阵中位于同一条对角线上的子块组成一个区域,并被赋予一个区域号;(3)将第一列的子块号作为基址,通过并行比较电路来完成子块的行号和列号的寻址;将物理地址分段,对其中三段进行并行寻址,所述三段分别代表子阵号、子块号和段号;最后综合得到交叉点阵列目标单元的行地址和列地址;(4)将交叉点阵列中相邻的两行作为一个整体进行写入调度,同时执行SET和RESET操作,在对前一行需要写入的单元进行SET/RESET操作的同时,对后一行需要写入的单元进行互补的RESET/SET操作;(5)若要进行数据交换的两个子块不在同一行并且不在同一列上,则执行对角交换;否则执行传统的数据交换操作。
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