[发明专利]使熔体成长为结晶片的结晶器系统及方法

摘要

本发明提供一种使熔体成长为结晶片的结晶器及方法。结晶器可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述结晶器还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。使熔体成长为结晶片的结晶器及方法中，使用结晶器以提供气体喷射以在熔体的表面以及致冷块之间形成对流区，有助于高速散热。

主权项

一种结晶器系统，用以使熔体成长为结芯片，其特征在于包括：坩锅，用以容纳所述熔体；致冷块，具有致冷面，所述致冷面直接面对于所述熔体的暴露面，所述致冷块被设置以用于在所述致冷面产生致冷块温度，所述致冷块温度低于在所述熔体的所述暴露面的熔体温度；以及喷嘴，配置于所述致冷块内，且被设置以用于传送气体喷射至所述暴露面，其中所述气体喷射以及所述致冷块互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于所述暴露面的热，所述第一散热速率大于所述处理区之外的外部区域中的所述暴露面的第二散热速率。