[发明专利]晶片的加工方法

摘要

提供晶片的加工方法，能够防止从晶片分割而得的芯片侧面的污染。在沿着分割预定线(L)在晶片(W)内部形成了改质层(R)之后，利用磨削动作以改质层作为起点，沿着分割预定线对晶片进行分割。接着，在进行了磨削的晶片的背面侧粘贴扩展带(ET)之后，在使相邻的芯片(C)彼此分离的方向上对扩展带进行扩展，在相邻的芯片间形成间隙(S)。然后，使干冰微粒(DR)沿着多个芯片间高速喷射至芯片间的间隙，对芯片间进行清洗。

主权项

1.一种晶片的加工方法，该晶片在正面上的由分割预定线划分的多个区域中形成有器件，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：改质层形成步骤，从晶片的背面将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于晶片内部而沿着分割预定线进行照射，在晶片内部形成改质层；分割步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，从晶片的背面利用磨削单元进行磨削而使晶片薄化至完工厚度，并且利用磨削动作以该改质层作为起点而沿着该分割预定线对晶片进行分割；扩展带粘贴步骤，在实施了该分割步骤之后，在进行了磨削的背面侧粘贴扩展带；带扩展步骤，在实施了该扩展带粘贴步骤之后，对扩展带进行扩展，在使相邻的芯片彼此分离的方向上进行扩展而在相邻的芯片间形成间隙；以及芯片间清洗步骤，在实施了该带扩展步骤之后，使干冰微粒高速喷射至该芯片间的间隙而沿着多个芯片间进行喷射，对芯片间进行清洗。