[发明专利]低温多晶硅薄膜及晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201711070385.9 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN107833835B | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 何怀亮 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 许志勇;王宁 |
| 地址： | 518108 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提出一种低温多晶硅薄膜的制造方法，包括：形成一缓冲层在一衬底上；形成一第一硅层在所述缓冲层上；形成一第二硅层在所述第一硅层上，并形成一障碍衬底杂质界面在所述第一硅层及所述第二硅层间，其中所述第二硅层厚于所述第一硅层；以及对所述第一硅层及所述第二硅层进行退火以形成一多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低温多晶硅薄膜的制造方法，包括：形成一缓冲层在一衬底上；形成一第一硅层在所述缓冲层上；形成一第二硅层在所述第一硅层上，并形成一障碍衬底杂质界面在所述第一硅层及所述第二硅层间，其中所述第二硅层厚于所述第一硅层，且在形成所述第二硅层前，先粗糙化所述第一硅层的表面以形成所述障碍衬底杂质界面，其中所述第二硅层及所述障碍衬底杂质界面形成在所述第一硅层的粗糙化表面，所述粗糙化表面的表面粗糙度介于5nm与30nm间；以及对所述第一硅层及所述第二硅层进行退火以形成一多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
