[发明专利]PERC电池背面AL2O3叠加膜层工艺

摘要

本发明提供一种PERC电池背面AL2O3叠加膜层工艺，采用一种新的钝化膜叠加层工艺，在完成AL2O3沉积工艺后，在炉管内通入N2O、硅烷和氨气，控制气体比例，在AL2O3的膜层上，再一次生长SiNx和氮氧化硅的叠层膜。通过该工艺，可以降低原有的AL2O3膜的膜厚，一方面减少TMA的用量，节省成本，提升了产能，另一方面，通过三层膜的钝化工艺，提升了钝化效果，进而提升效率。

主权项

一种PERC电池背面AL2O3叠加膜层工艺，其特征在于：包括以下步骤：清洗、扩散、洗磷、沉积AL2O3、PDA、背面叠加N2O和SiNx膜层、正面镀SiNx膜层、激光开孔和丝网印刷，其中，所述沉积AL2O3、PDA、背面层叠N2O和SiNx膜和正面镀SiNx膜具体包括沉积AL2O3，向炉内通入水H2O和三甲基铝TMA，其中，水H2O的流量为200‑400sccm/min，三甲基铝TMA的流量为200‑500sccm/min，来回摆动次数为2‑4次，使AL2O3膜厚度达到5nm；PDA退火工序，温度600‑800℃，时间30‑60min，对硅片进行处理；背面叠加N2O和SiNx膜层，炉管内通入SiH4、NH3和N2O气体，其中，SiH4的流量为500‑1200sccm/min，NH3的流量为1000‑3000sccm/min，N2O的流量为150‑340sccm/min，持续时间为1200s，在AL2O3膜层上再一次生长氮氧化硅叠层膜，形成的氮氧化硅膜厚度为75nm，氮氧化硅折射率为1.8；正面镀SiNx膜层，炉管内通入SiH4和NH3气体，其中，SiH4的流量为500‑800sccm/min，NH3的流量为1000‑3500sccm/min，持续时间为1250s，在氮氧化硅膜层上生长氮化硅叠层膜，形成的氮化硅膜厚度为75nm，氮化硅折射率为2.0。