[发明专利]低温多晶硅薄膜及晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201711070813.8 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN107887275B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 何怀亮 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 许志勇;王宁 |
| 地址： | 518108 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提出一种低温多晶硅薄膜的制造方法，包括：形成一缓冲层在一衬底上；形成一闸电极在所述缓冲层上；形成一图案化垫高层在所述闸电极上，所述图案化垫高层包覆所述闸电极的顶面及侧面；形成一第一防扩散层在所述图案化垫高层上；形成一第二防扩散层在所述第一防扩散层上；形成一硅层在所述第二防扩散层上；对所述硅层进行退火以形成一多晶硅层，所述多晶硅层包括一图案化区域以及一要被移除的区域，所述图案化区域与所述图案化垫高层具有相同的图案，所述图案化区域全部位在所述图案化垫高层的正上方；以及移除所述多晶硅层中所述要被移除的区域，仅保留所述所述图案化区域。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低温多晶硅薄膜的制造方法，包括：形成一缓冲层在一衬底上，并在所述缓冲层的上表面进行表面粗糙处理以产生缺陷，其中所述缓冲层包括第一子缓冲层以及第二子缓冲层，形成所述缓冲层的步骤包括在所述衬底上形成所述第一子缓冲层，以及在所述第一子缓冲层上形成所述第二子缓冲层，且所述第二子缓冲层的细致度低于所述第一子缓冲层；形成一闸电极在所述缓冲层上；形成一图案化垫高层在所述闸电极上，所述图案化垫高层包覆所述闸电极的顶面及侧面；形成一第一防扩散层在所述图案化垫高层上；形成一第二防扩散层在所述第一防扩散层上；形成一硅层在所述第二防扩散层上；形成一杂质捕捉层在所述硅层上；对所述硅层进行退火以形成一多晶硅层，所述多晶硅层包括一图案化区域以及一要被移除的区域，所述图案化区域与所述图案化垫高层具有相同的图案，所述图案化区域全部位在所述图案化垫高层的正上方；以及移除所述多晶硅层中所述要被移除的区域，仅保留所述所述图案化区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
