[发明专利]一种近红外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种近红外光电探测器，包括基底、依次设置在基底表面上的隔离层和光吸收层、以及设置在光吸收层相对的两端且分别与光吸收层接触的源极和漏极，源极和漏极之间形成的沟道结构暴露出部分光吸收层，光吸收层的材料包括β‑InSe纳米薄片。所述光电探测器具有很高的近红外光响应度和环境稳定性。本发明还提供了一种近红外光电探测器的制备方法，包括提供β‑InSe单晶块，将β‑InSe单晶块粘到胶带上，反复撕胶带10‑20次，得到β‑InSe纳米薄片，将β‑InSe纳米薄片转移到隔离层上，形成光吸收层；在β‑InSe纳米薄片上方以及未被β‑InSe纳米薄片覆盖的隔离层上方旋涂光刻胶，经曝光和显影后，形成电极图案；沉积电极材料，随后采用有机溶剂剥离光刻胶，形成源极和漏极。

主权项

一种近红外光电探测器，其特征在于，包括：基底、依次设置在所述基底表面上的隔离层和光吸收层、以及设置在所述光吸收层相对的两端且分别与所述光吸收层接触的源极和漏极，所述源极和所述漏极之间形成的沟道结构暴露出部分所述光吸收层，所述光吸收层的材料包括β‑InSe纳米薄片。